SYSCOM
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Clave SAT: 32111600
2SC1971
Transistor RF de Potencia / 120 MHz / 150 W / Bipolar de Silicio
Puntos Clave de Ingeniería:
- Operación hasta 120 MHz para aplicaciones RF
- Potencia de salida de 150 W en transmisión
- Tecnología bipolar de silicio probada
- Diseño robusto para condiciones industriales
- Compatible con estándares de comunicación
- Rendimiento estable en ambientes exigentes
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Este transistor RF de alta potencia está diseñado para aplicaciones de transmisión en el rango de frecuencias de radio. Opera hasta 120 MHz con una potencia de salida de 150 W, lo que lo hace ideal para equipos de comunicación, transmisores y amplificadores de RF en entornos profesionales. Su tecnología bipolar de silicio garantiza un rendimiento predecible y documentado. El encapsulado robusto permite su instalación en condiciones industriales exigentes donde la confiabilidad térmica y eléctrica son críticas.
Características principales
- Transistor RF de alta potencia para aplicaciones de transmisión
- Frecuencia máxima de operación: 120 MHz
- Potencia de salida: 150 W
- Tecnología bipolar de silicio
- Diseño robusto para ambientes exigentes
- Compatibilidad con estándares industriales
Especificaciones técnicas
Tipo de dispositivo
Transistor RF de potencia
Tecnología
Bipolar de silicio
Frecuencia máxima
120 MHz
Potencia de salida
150 W
Aplicaciones típicas
Transmisores, amplificadores RF, comunicaciones industriales
Construcción
Robusta para ambientes exigentes