SYSCOM
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2SC2097
Transistor NPN Epitaxial / 30 MHz / 13.5 Vcc / 70 W / Encapsulado T-40E
Puntos Clave de Ingeniería:
- Alta eficiencia en amplificación RF de potencia
- Operación estable hasta 30 MHz
- Diseño epitaxial de silicio para baja distorsión
- Encapsulado T-40E para disipación térmica optimizada
- Tensión de colector 13.5 Vcc para circuitos robustos
- Ideal para etapas de salida en transmisores
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Transistor NPN Epitaxial de Silicio para RF de Potencia
Este transistor NPN epitaxial de silicio está diseñado para aplicaciones de amplificación de radiofrecuencia de potencia con alta eficiencia energética. Opera a una frecuencia máxima de 30 MHz con estabilidad térmica y eléctrica garantizada por su estructura epitaxial de silicio. La tensión de colector de 13.5 Vcc permite integrarlo en etapas de salida de transmisores y amplificadores de RF que requieren manejo de señales de alta potencia. Su encapsulado T-40E proporciona disipación térmica eficiente para operación continua en entornos industriales exigentes.
Características Principales
- Transistor NPN epitaxial de silicio para baja distorsión armónica
- Frecuencia máxima de operación: 30 MHz
- Tensión de colector: 13.5 Vcc
- Potencia máxima de salida: 70 W
- Encapsulado formato T-40E para montaje industrial
- Optimizado para amplificación RF de potencia