SYSCOM
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SYSCOM
Clave SAT: 32111600
2SC3133
Transistor NPN Epitaxial de Silicio / 27 MHz / 12 Vcc / 13 W / Encapsulado T-30E
Puntos Clave de Ingeniería:
- Alta eficiencia en amplificación de radiofrecuencia
- Operación estable hasta 27 MHz
- Disipación térmica optimizada con encapsulado T-30E
- Reemplazo directo compatible con modelo 2SC1945
- Potencia de salida de 13 watts para aplicaciones exigentes
- Voltaje máximo de 12 Vcc para circuitos de baja tensión
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Transistor NPN epitaxial de silicio diseñado para aplicaciones de amplificación de señal en radiofrecuencia. Ofrece alta eficiencia energética con operación estable hasta 27 MHz, ideal para equipos de comunicación y transmisores. Su encapsulado T-30E garantiza disipación térmica optimizada, permitiendo manejar 13 watts de potencia de salida de forma confiable. Es compatible como reemplazo directo del modelo 2SC1945, facilitando mantenimiento y actualización de equipos existentes.
Características principales
- Transistor NPN epitaxial de silicio altamente eficiente
- Frecuencia de operación hasta 27 MHz
- Soporta voltaje máximo de 12 Vcc
- Potencia de salida de 13 watts
- Reemplazo directo para modelo 2SC1945
- Encapsulado T-30E para disipación térmica optimizada
Especificaciones técnicas
Tipo
NPN Epitaxial de Silicio
Frecuencia máxima
27 MHz
Voltaje máximo
12 Vcc
Potencia de salida
13 W
Encapsulado
T-30E
Compatibilidad
Reemplazo 2SC1945