B2-160

Transistor NPN RF / 175 MHz / 100 W / 12.5 Vcc / Alta Eficiencia / VHF-FM

Puntos Clave de Ingeniería:

Operación estable en banda VHF hasta 175 MHz para transmisores FM
Potencia de salida de 100 W con ganancia de 6.0 dB en RF
Impedancia optimizada: entrada 1.5-j0.9 Ω y carga 0.5-j1.0 Ω
Disipación térmica de 270 W con resistencia térmica de 0.65 °C/W
Voltajes de ruptura elevados: VCB 36 V, VCE 18 V, VEB 4.0 V
Corriente de colector de 20 A para amplificadores de potencia RF

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Transistor NPN de silicio diseñado para aplicaciones de radiofrecuencia en la banda VHF, con operación optimizada hasta 175 MHz. Proporciona una potencia de salida de 100 W con una relación de ganancia de 6.0 dB, ideal para transmisores FM y amplificadores de potencia RF. Su arquitectura de alta eficiencia energética y características térmicas controladas permiten operación sostenida en condiciones de alta demanda. Las impedancias de entrada y carga están especificadas para facilitar el diseño de redes de adaptación en circuitos de RF profesionales.

Características Generales

Transistor NPN de silicio para aplicaciones RF
Frecuencia operativa de hasta 175 MHz
Potencia de salida máxima de 100 W
Voltaje de colector de 12.5 Vcc
Diseño robusto para alta eficiencia energética
Aplicaciones: sistemas de comunicación VHF, transmisores FM, amplificadores de potencia RF

Especificaciones RF

Frecuencia: 175 MHz
Potencia de salida: 100 W
Relación de ganancia: 6.0 dB
Impedancia entrada: 1.5 - j0.9 Ω
Impedancia carga: 0.5 - j1.0 Ω

Especificaciones Eléctricas

Voltaje colector-base (VCBO): 36 V
Voltaje colector-emisor (VCEO): 18 V
Voltaje emisor-base (VEBO): 4.0 V
Corriente de colector (IC): 20 A
Disipación de potencia: 270 W

Especificaciones Térmicas

Resistencia térmica (junto-case, RθJC): 0.65 °C/W
Temperatura de almacenamiento: -65 a +200 °C