B2-223

Transistor Bipolar NPN / 160 MHz / 13.6 Vcc / 40 Watt / VHF

Puntos Clave de Ingeniería:

Operación estable en comunicaciones VHF
Eficiencia térmica optimizada en diseño compacto
Impedancia controlada Zin 1.0 + j0.4 a 160 MHz
Ganancia de potencia de 9 dB a frecuencia nominal
Disipación térmica de 70 W para alta demanda
Rango de temperatura de unión hasta +200 °C

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Transistor bipolar NPN diseñado para aplicaciones de radiofrecuencia en banda VHF, optimizado para operación a 160 MHz con potencia de salida de 40 W. Su configuración de emisor común y alimentación a 13.6 Vcc lo hacen ideal para sistemas de comunicaciones profesionales. El diseño térmico eficiente permite manejar disipaciones de hasta 70 W manteniendo estabilidad en condiciones exigentes. La impedancia de entrada caracterizada (1.0 + j0.4 a 160 MHz) facilita el acoplamiento con etapas driver en diseños de amplificadores RF.

Características Principales

Transistor bipolar NPN de alta frecuencia 160 MHz
Potencia de salida de 40 W con 5 W de excitación
Operación estable a 13.6 Vcc
Diseño compacto con eficiencia térmica optimizada
Rendimiento confiable en aplicaciones RF avanzadas
Impedancia Zin 1.0 + j0.4 a 160 MHz

Especificaciones Técnicas

Básicas

TipoTransistor bipolar NPN

Frecuencia160 MHz

Tensión alimentación13.6 Vcc

ConfiguraciónEmisor común

AplicaciónComunicaciones VHF

Límites Máximos

VCBO36 V

VCEO16 V

VCES36 V

VEBO4.0 V

IC8.0 A

PDISS70 W

TJ+200 °C

TSTG-65 a +150 °C

Dinámicas

POUT40 W (f=160 MHz, PIN=5.0 W, VCE=13.6 V)

GP9 dB (f=160 MHz, PIN=5.0 W, VCE=13.6 V)

COB95 pF (f=1 MHz, VCB=15 V)

Estáticas

BVCES36 V (IC=15 mA, VBE=0 mA)

BVCEO16 V (IC=50 mA, IB=...)