SYSCOM
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IRF-Z24N-ND
Transistor MOSFET / Canal N / 55V / 17A / 0.044Ω / TO-220AB / 55 pies (16.8 m)
Puntos Clave de Ingeniería:
- Conmutación rápida para alta eficiencia energética
- Resistencia de conducción ultrabaja de 0.044 ohmios
- Paquete TO-220AB de 3 terminales estándar industrial
- Operación estable a 17A de corriente continua
- Diseñado para aplicaciones de conmutación de potencia
- Canal N optimizado para control eficiente de cargas
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Este transistor MOSFET de canal N está diseñado para aplicaciones de conmutación de potencia que demandan alta eficiencia y respuesta rápida. Opera con una tensión de drenaje de 55V y soporta corrientes continuas de hasta 17A a 25°C, lo que lo hace ideal para fuentes de alimentación, analizadores de circuitos y equipos de prueba electrónica. Su resistencia de conducción de tan solo 0.044 ohmios minimiza las pérdidas por disipación térmica, mientras que su arquitectura de conmutación rápida reduce los tiempos de transición entre estados. El encapsulado TO-220AB de tres terminales facilita su montaje en disipadores estándar y garantiza una extracción de calor eficiente en condiciones de carga elevada.
Características principales
- MOSFET de canal N para conmutación de potencia
- Voltaje de drenaje-surtidor (VDSS): 55V
- Corriente continua de drenaje (ID): 17A a 25°C
- Resistencia de conducción RDS(on): 0.044 Ω
- Velocidad de conmutación rápida para alta eficiencia
- Encapsulado TO-220AB de 3 terminales