SYSCOM
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MMBR951
Transistor NPN / SMD SOT-23 / 100 MHz / 30V Vceo / 100mA Ic / -55°C a +150°C
Puntos Clave de Ingeniería:
- Bajo ruido para preamplificación de alta fidelidad
- Encapsulado SOT-23 compacto para montaje superficial
- Alta ganancia de corriente 300-800 para amplificación eficiente
- Frecuencia de transición 100 MHz para señales de RF
- Baja distorsión para audio y comunicaciones
- Rango térmico extendido -55°C a +150°C
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Transistor NPN de montaje superficial diseñado para aplicaciones que demandan bajo ruido y alta fidelidad en etapas de preamplificación. Su encapsulado SOT-23 ofrece una solución compacta para circuitos integrados modernos donde el espacio es crítico. La combinación de alta ganancia de corriente, baja distorsión y frecuencia de transición de 100 MHz lo hace versátil para señales de audio, RF y comunicaciones. Opera de manera confiable en un amplio rango térmico que abarca desde ambientes extremadamente fríos hasta condiciones de alta temperatura industrial.
Características Principales
- Transistor NPN de bajo ruido para preamplificación de alta fidelidad
- Encapsulado SMD SOT-23 compacto para montaje superficial automatizado
- Baja distorsión optimizada para etapas de audio y comunicaciones
- Alta ganancia de corriente (hFE) de 300 a 800 para amplificación eficiente
- Frecuencia de transición de 100 MHz para aplicaciones de RF
- Rango de temperatura de operación: -55°C a +150°C