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MRF515
Transistor NPN de Alta Frecuencia / 470 MHz / 12.5 Vcc / 8.0 dB / 0.75 W / Diseño Compacto
Puntos Clave de Ingeniería:
- Amplificación eficaz con 8.0 dB de ganancia
- Potencia máxima de 0.75 W para aplicaciones de RF
- Diseño compacto para integración en circuitos densos
- Optimizado para bajo consumo energético
- Operación estable a 470 MHz en banda UHF
- Construcción en silicio para alta confiabilidad
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Transistor de silicio NPN diseñado para aplicaciones de alta frecuencia en el rango de 470 MHz, ideal para circuitos de amplificación RF en equipos de comunicaciones, transmisores y receptores. Opera con una tensión de 12.5 Vcc y ofrece una ganancia de 8.0 dB que garantiza amplificación eficaz de señales débiles. Su potencia máxima de 0.75 watt lo hace apto para etapas driver y preamplificadoras. El encapsulado compacto de referencia 79-04 facilita su montaje en diseños con alta densidad de componentes, mientras que su arquitectura optimizada minimiza el consumo energético sin sacrificar rendimiento.
Características Principales
- Transistor NPN de silicio para alta frecuencia
- Frecuencia de operación: 470 MHz
- Tensión operativa: 12.5 Vcc
- Ganancia de potencia: 8.0 dB
- Potencia máxima de salida: 0.75 W
- Encapsulado compacto referencia 79-04
- Diseño optimizado para bajo consumo energético
Especificaciones Técnicas
Aplicaciones Típicas
- Amplificadores de RF en banda UHF
- Etapas driver en transmisores de comunicaciones
- Preamplificadores de señal en receptores
- Circuitos de osciladores controlados por voltaje (VCO)
- Equipos de radioafición y servicios profesionales móviles