SYSCOM
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PD55035S
MOSFET de Potencia / 7A / 40V / Canal N / D-PAK
Puntos Clave de Ingeniería:
- Conmutación de alta velocidad para RF
- Baja resistencia RDS(on) en estado activo
- Alta densidad de corriente sostenida
- Umbral de voltaje de activación reducido
- Disipación térmica eficiente en encapsulado D-PAK
- Optimizado para fuentes de alimentación conmutadas
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Este MOSFET de potencia de canal N está diseñado para aplicaciones exigentes de radiofrecuencia y conmutación de alta velocidad. Su arquitectura permite manejar corrientes de hasta 7 A con una capacidad de bloqueo de 40 V, integrando baja resistencia en estado de conducción y umbral de activación reducido. El encapsulado D-PAK optimiza la disipación térmica en espacios reducidos, resultando ideal para fuentes de alimentación conmutadas, amplificadores de RF y circuitos de potencia compactos donde la eficiencia energética y la respuesta dinámica son críticas.
Características Destacadas
- Transistor MOSFET canal N, 40 V, 7 A
- Optimizado para RF y conmutación de alta velocidad
- Encapsulado D-PAK para disipación térmica eficiente
- Baja resistencia RDS(on) en estado de conducción
- Alta densidad de corriente con bajo umbral de voltaje
- Aplicaciones: fuentes de alimentación, circuitos de potencia, RF