MITSUBISHI
9 en Stock
RD60-HUF1-101
Transistor MOSFET de Potencia / 850V / 110A / 150W / TO-247 / 2,788 pies
Puntos Clave de Ingeniería:
- Conmutación de alta eficiencia energética
- Encapsulado TO-247 para disipación térmica óptima
- Tecnología avanzada de semiconductores de potencia
- Operación estable en sistemas de alta tensión
- Diseño robusto para aplicaciones industriales exigentes
- Compatibilidad con sistemas de conmutación modernos
Accede con tu cuenta o solicita tu alta como distribuidor para consultar costos y existencias por almacén.
Este transistor MOSFET de potencia está diseñado para aplicaciones de conmutación de alta eficiencia en entornos industriales y de telecomunicaciones. Con una capacidad de operación a 850V y 110A de corriente continua, ofrece un rendimiento excepcional en sistemas que demandan control preciso de energía. Su encapsulado TO-247 garantiza una disipación térmica superior, permitiendo una operación sostenida incluso bajo cargas elevadas de 150W. La tecnología de semiconductores avanzada de Mitsubishi asegura confiabilidad y durabilidad en aplicaciones críticas de conversión de energía.
Características Principales
- Transistor FET de alta potencia para conmutación eficiente
- Voltaje máximo de operación de 850V
- Corriente continua de 110A
- Disipación de potencia de 150W
- Tecnología avanzada de encapsulado TO-247
- Aplicación en sistemas de conmutación de alta eficiencia