SYSCOM PARTS
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RD70HUF2
Transistor de Potencia MOSFET / 70W / VHF 135-175 MHz / UHF 450-530 MHz / 40V / 20A
Puntos Clave de Ingeniería:
- Eficiencia del drenaje del 74% a 175 MHz
- Diodo integrado de protección para la puerta
- Diseñado para amplificadores VHF/UHF de alta potencia
- Disipación térmica de canal de 300W
- Resistencia térmica de 0.5°C/W
- Empaque en cinta y carrete de 500 unidades
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Este transistor de potencia MOSFET está diseñado para aplicaciones de amplificación RF en bandas VHF y UHF, ofreciendo una solución robusta para sistemas de comunicación de alta potencia. Su arquitectura optimizada permite alcanzar una eficiencia del drenaje de hasta 74% en la banda de 175 MHz, reduciendo significativamente las pérdidas térmicas y mejorando la confiabilidad del sistema. La integración de un diodo de protección para la puerta simplifica el diseño del circuito driver y protege contra sobretensiones transitorias. Con capacidad de disipación de 300W y resistencia térmica de 0.5°C/W, este dispositivo soporta condiciones de operación exigentes en amplificadores de transmisión profesionales.
Características Principales
- Potencia de salida de hasta 84W típica
- Eficiencia del drenaje del 74% a 175 MHz
- Diodo integrado de protección para la puerta
- Diseñado para amplificadores VHF/UHF de alta potencia
- Empaque en cinta y carrete: 500 unidades por carrete