STP-40N20

MOSFET Canal-N / 200 V / 40 A / 160 W / TO-220AB / Conmutación de Alta Velocidad

Puntos Clave de Ingeniería:

Proceso STripFET que minimiza capacitancia de entrada y carga de puerta
Optimizado como interruptor primario en convertidores CC-CC aislados avanzados
Alta eficiencia energética en aplicaciones de conmutación rápida
Tolerancia a 200 V para sistemas de alto voltaje industrial
Paquete TO-220AB compatible con montaje estándar en disipadores
Capacidad de corriente continua de 40 A para cargas exigentes

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MOSFET de canal N fabricado con el proceso STripFET exclusivo de STMicroelectronics, diseñado específicamente para minimizar la capacitancia de entrada y la carga de puerta. Este componente de potencia soporta 200 V y 40 A con disipación de 160 W, resultando adecuado como interruptor primario en convertidores CC-CC aislados avanzados de alta eficiencia. Su arquitectura optimizada para conmutación de alta velocidad lo posiciona como solución preferente en fuentes de alimentación conmutadas, inversores y sistemas de gestión energética industrial donde se requieren transiciones rápidas y pérdidas mínimas de conmutación.

Características Generales

• Tipo: MOSFET Canal-N
• Voltaje drenaje-fuente (VDSS): 200 V
• Corriente continua de drenaje (ID): 40 A
• Disipación de potencia: 160 W
• Proceso de fabricación: STripFET
• Encapsulado: TO-220AB
• Aplicación primaria: Interruptor en convertidores CC-CC aislados de alta eficiencia

Desempeño Eléctrico

Voltaje máximo: 200 V
Corriente máxima: 40 A
Potencia disipación: 160 W
Capacitancia de entrada minimizada
Carga de puerta reducida

Físico / Mecánico

Encapsulado: TO-220AB
Montaje: A través de orificio (THT)
Compatible con disipadores estándar
Terminales: Drenaje, Fuente, Puerta

Contenido del Paquete

1 × MOSFET STP40N20
Encapsulado TO-220AB